얕은 지식

메모리 타이밍,램 타이밍이란

메모리 내부 저장된 데이터를 찾을 때 얼마나 빠른 속도로 찾는지를 나타내는 수치로, 숫자가 작을수록 빠릅니다.
다만 동일한 클럭일 경우이며, 타이밍이 조금 높더라도 클럭이 높은 메모리가 일반적으로 더 빠르기 때문에 성능을 가늠할 때에는 클럭을 먼저 보시면 됩니다.

주요 레이턴시(Latency) 값    * Latency: 지연시간, 반응속도

CAS(Columm Assress Strobe) Latency (tCL/tCAS): 줄여서 CAS Latency, 더욱 줄여 "CL" 이라 부르는 값으로 한 행 내에서 첫 열부터 마지막 열까지를 읽기/쓰기 하는 데 소요되는 총 시간을 의미 합니다. 램 타이밍을 나타내는 가장 대표적인 값이며 CR과 함께 성능에 영향을 크게 미치는 항목 중 하나입니다. 작을 수록 성능이 좋습니다. ( CL / 전송률 ) x 2000

RAS to CAS Delay (tRCD): 명령을 하여 셀에 도착지점 까지 갈때  행주소를 찾고, 열 주소를 찾는데 여기서 행주소를 찾고 열 주소를 찾는데 소요되는 시간이다. 작을 수록 성능이 좋습니다.

Row Precharge Time (tRP):  몇 클럭동안 충전할 것인지 결정하는 값입니다. 콘덴서는 시간이 지나면 자연방전이 되는데 그렇기에 주기적으로 충전해줘야 콘덴서안의 내용을 유지할 수 있습니다. 충전시에는 메모리를 읽거나 쓸 수 없기 때문에 충전 주기와 시간을 정하는 건 성능상 중요합니다. 충전이 덜 되거나 과충전 되면 데이터를 잃거나, 회로에 손상을 줄 수 있습니다.

Row Active Time (tRAS): 셀에서 찾는 동안 그 셀이 속한 행은 반드시 활성화 상태로 유지되어야 하는데, 이를 위해 (활성화 전) 미리 충전 된 행이 활성화 상태를 유지해야만 하는 최소한의 시간을 규정한 것입니다. 다시 말해 행 활성 명령과 사전 충전 명령을 실행하는 사이에 필요한 최소 클럭 사이클 수 입니다. 보통 tRAS = CL + tRCD +0~4정도 설정하며 지나치게 크면 성능이 떨어집니다.

Command Rate (CR/CMD/CPC/tCPD): 메모리 컨트롤러의 명령이 메모리에 접수되기까지의 소요시간을 의미합니다. 보통 1T, 2T로 많이 나뉘며 1T 가 더 빠릅니다. 하지만 2T는 높은 메모리 클럭(4000~4200클럭이상)에서의 안정성이 매우 유용 하기에 고클럭에서는 2T를 많이 선호하는 편입니다. 램타이밍 항목 중 성능에 영향을 가장 크게 미치지만 일반적으로 두 옵션 1T,2T 사이에는 매우 작은 성능 차이가 있습니다. 보통 안정성을 위해 2T로 설정 합니다.

* 자신의 모듈 이름과 램 타이밍을 알아 보려면 CPU-Z와 같은 소프트웨어 또는 BIOS / UEFI 내에서 찾을 수 있습니다.

DDR3 규격 표준

DDR4 규격 표준

https://www.cpuid.com/softwares/cpu-z.html

CPU-Z 링크입니다. 다양한 커스텀 버전들도 다운 받을수 있습니다.

메모리 모듈유형

• SIMM(싱글 인라인 메모리 모듈:Single Inline Memory Module)

• DIMM(dual in-line memory module, 듀얼 인라인 메모리 모듈)  : 서버, 데스크탑 용 
  • ECC UDIMM(Unbuffered or Unregistered DIMM) - 버퍼링 되지 않은 모듈 유형, 오류를 줄이기 위해 저용랑만을 지원 버퍼나 레지스트가 없어 빠른 응답률을 갖는다. (대부분 데스크탑용
  • RDIMM(Buffered (Registered) DIMM) - 메모리에 버퍼(레지스터)를 추가하여 관리한다. 에러 보정 기능을 지원한다. (대부분 서버용)
  • LRDIMM(Load Reduced DIMM) - RDIMM에 버퍼를 추가하여 신호를 제어하는 메모리, 버퍼를 통해 빠른 응답률을 지원한다. (대부분 서버용)

위 사진에서 보듯이 각 모듈의 장단점을 알수 있다.

• SO-DIMM(small outline dual in-line memory module) : 노트북, 소형 PC, 고성능 오피스 프린터, 라우터와 같은 네트워킹 하드웨어 등 공간에 제약이 있는 시스템에 자주 쓰인다.

* ECC - 오류 정정 코드 메모리(Error-correcting code memory), 즉 ECC 메모리(ECC memory)는 가장 일반적인 종류의 내부 데이터 손상을 감지하고 수정하는 기억 장치의 일종이다. ECC 메모리는 계산과학, 금융 컴퓨팅 등 모든 상황에서 데이터 손상에 대처해야 하는 대부분의 컴퓨터에 사용된다.

스펙 내용 중 포맷 방식과 레이턴시 값을 확인할 수 있다.

메모리의 동작 클럭(MHz/GHz)은 메모리의 동작 속도를 나타냅니다.

숫자가 클 수록 동작 속도가 빠릅니다. 그리고 동작 클럭이 높으면 열이 많이 발생합니다.

DDR 메모리에서는 최하 클럭이 100Mhz이며 33MHz 단위로 올라가서 100 / 133 / 166 / 200 / 233MHz 등으로 올라갑니다.

예) 3200MHz, PC4 - 25600 - 3200MHz은 동작 클럭,  PC4 - 25600은 모듈 이름입니다.

램을 고를 때 메인보드에서 지원하는 동작 클럭을 확인 후 구매해야 합니다.

모듈 이름과 동작 클럭이 혼돈될 때가 있습니다.

메모리 동작 클럭, 데이터 전송률,모듈이름을 정리해보았습니다.