메모리 내부 저장된 데이터를 찾을 때 얼마나 빠른 속도로 찾는지를 나타내는 수치로, 숫자가 작을수록 빠릅니다. 다만 동일한 클럭일 경우이며, 타이밍이 조금 높더라도 클럭이 높은 메모리가 일반적으로 더 빠르기 때문에 성능을 가늠할 때에는 클럭을 먼저 보시면 됩니다.
주요 레이턴시(Latency) 값 * Latency: 지연시간, 반응속도
CAS(Columm Assress Strobe) Latency (tCL/tCAS): 줄여서 CAS Latency, 더욱 줄여 "CL" 이라 부르는 값으로 한 행 내에서 첫 열부터 마지막 열까지를 읽기/쓰기 하는 데 소요되는 총 시간을 의미 합니다. 램 타이밍을 나타내는 가장 대표적인 값이며 CR과 함께 성능에 영향을 크게 미치는 항목 중 하나입니다. 작을 수록 성능이 좋습니다. ( CL / 전송률 ) x 2000
RAS to CAS Delay (tRCD): 명령을 하여 셀에 도착지점 까지 갈때 행주소를 찾고, 열 주소를 찾는데 여기서 행주소를 찾고 열 주소를 찾는데 소요되는 시간이다. 작을 수록 성능이 좋습니다.
Row Precharge Time (tRP): 몇 클럭동안 충전할 것인지 결정하는 값입니다. 콘덴서는 시간이 지나면 자연방전이 되는데 그렇기에 주기적으로 충전해줘야 콘덴서안의 내용을 유지할 수 있습니다. 충전시에는 메모리를 읽거나 쓸 수 없기 때문에 충전 주기와 시간을 정하는 건 성능상 중요합니다. 충전이 덜 되거나 과충전 되면 데이터를 잃거나, 회로에 손상을 줄 수 있습니다.
Row Active Time (tRAS): 셀에서 찾는 동안 그 셀이 속한 행은 반드시 활성화 상태로 유지되어야 하는데, 이를 위해 (활성화 전) 미리 충전 된 행이 활성화 상태를 유지해야만 하는 최소한의 시간을 규정한 것입니다. 다시 말해 행 활성 명령과 사전 충전 명령을 실행하는 사이에 필요한 최소 클럭 사이클 수 입니다. 보통 tRAS = CL + tRCD +0~4정도 설정하며 지나치게 크면 성능이 떨어집니다.
Command Rate (CR/CMD/CPC/tCPD): 메모리 컨트롤러의 명령이 메모리에 접수되기까지의 소요시간을 의미합니다. 보통 1T, 2T로 많이 나뉘며 1T 가 더 빠릅니다. 하지만 2T는 높은 메모리 클럭(4000~4200클럭이상)에서의 안정성이 매우 유용 하기에 고클럭에서는 2T를 많이 선호하는 편입니다. 램타이밍 항목 중 성능에 영향을 가장 크게 미치지만 일반적으로 두 옵션 1T,2T 사이에는 매우 작은 성능 차이가 있습니다. 보통 안정성을 위해 2T로 설정 합니다.
* 자신의 모듈 이름과 램 타이밍을 알아 보려면 CPU-Z와 같은 소프트웨어 또는 BIOS / UEFI 내에서 찾을 수 있습니다.
